Obiekt

Tytuł: Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN ; Analysis and research of high frequency class DE inverters with SiC and GaN MOSFET transistors

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2020-05-11

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://repolis.bg.polsl.pl/publication/63124

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Nazwa wydania Data

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji